M5485EFE datasheet

M5485EFE datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

Маркировка

M5485EFE
Производитель

Freescale Semiconductor
Описание

Freescale Semiconductor M5485EFE Alternative: FREESCALE M5485EFE,FREE M5485EFE,FSL M5485EFE,FRS M5485EFE,MTR M5485EFE,FREESC M5485EFE,FREESCAL M5485EFE,FRE M5485EFE,FREESCALE SEMI M5485EFE,Freescale Semiconductor Inc M5485EFE,FREESCALE SEMICONDUC M5485EFE,FRESSCAL M5485EFE,FREESCALE-PB M5485EFE,FRS/MOT M5485EFE,FREESCALE SEMIC M5485EFE,FREESCALES M5485EFE,FREESCALE SEMICONDUCTOR (VA) M5485EFE,FREESCALE/PBF M5485EFE,FSCL M5485EFE,FRE-SEMI M5485EFE,Freescale Semiconductor UK Limited M5485EFE
Количество страниц

2 шт.
Форматы файла

HTML, PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet M5485EFE.pdf
Файл формата Pdf 38,70 KB

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Где можно купить

M5485EFEОнлайн Компоненты

M5485EFEТМ Электроникс

Разместить объявление

Новости электроники

<p>Новые технологии для ST микроконтроллера, опыт изготовителя и эффективность архитектуры STM32 дали возможность обеспечить отличный результат. Срок службы батареи составляет более чем 15 лет, также появились новые возможности по энергосбережению.</p>

Беспроводные MCU ST — оптимальное решение для эффективного промышленного мониторинга

25.05.2024

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Еще новости

Электрофорум - Темы электроснабжение, защита, заземление, автоматика, электроника и другое.

Электрофорум

Темы электроснабжение, защита, заземление, автоматика, электроника и другое.

electroforum.su

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.